清水 均，熊田浩仁，内山誠治，粕川秋彦
概要
1.3 μm帯の光加入者用光源や面発光レーザとして期待される，GaAs基板上の遊雅堂 賭け条件系レーザの検討をガスソースMBE法により行った。遊雅堂 賭け条件にSbを微少量添加した遊雅堂 賭け条件Sbレーザで，波長1.258 μmでの室温CW動作を達成した。遊雅堂 賭け条件を用いたレーザでは過去の報告例中，最も低いしきい値電流と同等であり，（12.4 mA@25℃），なおかつ，高特性温度（T0＝157 K）で，100℃以上の高温までCW発振した。この特性は，これまで報告されている端面出射型遊雅堂 賭け条件系レーザの中で最高の特性である。また，1.2 μm帯GaInAs系レーザも，これまでの過去の報告例中，最も低いしきい値電流（6.3 mA）で，なおかつ，高特性温度（T0＝256K）でCW発振した。遊雅堂 賭け条件Sbレーザは，ペルチエフリーの光加入者用光源や面発光レーザ素子として非常に有望である。
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