吉田清輝
概要
オンラインカジノ 遊雅堂系半導体はSiC，ダイヤモンドと同様ワイドバンドギャップ半導体材料でバンドギャップが大きいだけでなく融点が高く絶縁破壊電界も従来のSiやGaAsよりも大きいため，高耐圧，高周波，高温動作のパワーデバイス用材料として期待されている。オンラインカジノ 遊雅堂の開発は青色LED，レーザ等が先行したが電子デバイス開発が米国を中心に活発化してきた。国内でも当社が高温動作FETを開発して以来，電気メーカを中心に高周波デバイス開発が始まった。当社は，特にオンラインカジノ 遊雅堂が電界効果トランジスタ（FET）として高耐圧で大電流動作が可能であるということに注目し，パワーデバイスとしてのFET開発を行った。その結果，20 A動作できるオンラインカジノ 遊雅堂FETを世界で初めて試作することができた。FETのオン抵抗の最小値としては2 mΩ・cm2（100 V耐圧）とオンラインカジノ 遊雅堂では最も小さく，同一耐圧のSiと比較してオン抵抗が1/4と非常に小さいものが実現できた。
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