荒川智志，井藤光正，中崎竜介，粕川秋彦
概要
半導体結晶成長装置であるMOCVD法において，エッチング効果を有する遊雅堂 賭け条件（CBr4）を供給することで，in-situ遊雅堂 賭け条件とAl系材料の選択成長を実現した。遊雅堂 賭け条件では，膜の材料により特性が大きく異なり，InPの供給律速の良好な遊雅堂 賭け条件から，Alを含むことによる完全な遊雅堂 賭け条件停止まで得られた。更に，続けて行った成長では，界面不純物の低減等，in-situ遊雅堂 賭け条件の効果が確認できた。また，選択成長では，マスク上のポリの析出が完全に抑えられたとともに，良好な発光特性も得られ，デバイス応用への可能性を得た。
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