水戸瀬賢悟、吉田和生、須齋京太
概要
接点表面のSnめっきの厚さが，微遊雅堂 仮想通貨時の接点抵抗に及ぼす影響を調査した。Snめっきを施したCu-Ni-Si合金条を加工して，半球形状のインデント加工を施した試験片（ライダー）と，平板状の試験片（フラット）とを作製した。両試験片を3Nで接触させ，20℃，湿度65%の環境の下，低周波の微遊雅堂 仮想通貨磨耗試験を行った。遊雅堂 仮想通貨距離を30μmとし，5mAを通電して接点抵抗を計測した。Snめっき厚さが0.5μmのフラットの場合，接点抵抗は少ない遊雅堂 仮想通貨回数で上昇した。抵抗が上昇する時期で試験を止めてサンプリングし，波長分散型X線分光法，及びオージェ電子分光法により接点領域を分析した結果，Snの酸化が抵抗上昇の主因であると推定した。更に，Snめっき厚さを薄くすることにより，抵抗上昇を抑制できることを見出した。
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