与美国Transphorm,Inc.签订知识产权许可合同
~构筑与GaN供电装置行业领头羊的战略伙伴关系~
本公司与氮化镓(以下称为GaN)供电装置市场领头羊Transphorm,Inc.(美国加利福尼亚州,以下称为Transphorm公司),就本公司独自拥有的GaN供电装置(注释1)相关专利的独占实施权的许诺签订了合同,与此同时,还签订了本公司取得Transphorm公司股份的相关合同。
今后,本公司与Transphorm公司将构筑战略伙伴关系,致力于强化和打造两公司GaN供电装置相关的产品群。
此次的决定将成为“Furukawa ‘G’ plan 2015”(2015年中期经营计划)中全力推进的新一代业务开展活动的一环。本公司集团今后也会有效利用作为本公司优势的材料实力,力求实现公司的持续发展。
背景
近年来,为实现新一代电源系统的小型化和高效化,导入GaN供电装置的必要性不断提高。而该技术预计可广泛用于从超小型AC适配器、高功率密度的PC、服务器及通信用电源等,到高效太阳能发电用功率调节器及机械控制系统等多个领域。
本公司独自拥有约150件(日本国内110件)相关专利,其中包括1990年代开始积累的、以硅上GaN晶体生长相关技术为中心的材料、生产方法、驱动电路等各方面专利。这些专利组合受到行业的高度评价。
而Transphorm公司则推出了全球首款通过JEDEC认证的600V GaN-HEMT(注释2)产品等,作为行业领头羊深受好评。但是为了今后能够伴随GaN供电装置市场的急速发展而实现业务的不断扩大,需要尽早构筑强大的专利环境。
概要
在上述背景下,本公司与Transphorm公司分别签订了向Transphorm公司许诺本公司独自拥有的GaN供电装置相关专利的独占实施权的合同,以及本公司取得Transphorm公司股份的相关合同。
通过以上举措,本公司可有效利用持有的专利,而Transphorm公司也为扩大GaN供电装置业务进一步强化了专利环境。今后,本公司与Transphorm公司将通过在研究开发领域进行合作等,来构筑战略伙伴关系,力求强化和打造两公司的相关产品群。
Transphorm公司概要
商号 | Transphorm, Inc. |
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URL | http://www.transphormusa.com/ |
总公司 | 美国加利福尼亚州 |
成立 | 2007年(UCSB教授:Umesh Mishra(现CTO)与Primit Parikh(现President)发起) |
代表人 | 江坂 文秀(CEO) |
(注释1)GaN供电装置:
是指使用了宽禁带材料GaN的供电装置。与使用硅的装置相比,具有可实现元件的小型化和高效化等优点。与同为宽禁带材料的SiC(碳化硅)相比,因其可在廉价的硅电路板上构建GaN器件,因此预计可得到广泛应用。
(注释2)GaN-HEMT(High Electron Mobility Transistor):
是指在导电层使用了AlGaN/GaN界面产生的二维电子气的晶体管。具有器件电阻低和元件耐压性高两大特点并存的结构。