岩井則広，向原智一，井藤光正，山中信光，荒川智志，清水 均，粕川秋彦
概要
光インターコネクション等の光源に用いられる，レーザアレイ素子の低コスト化を目的とし，p型基板上へ遊雅堂 出金 キャンセル酸化層による閉じ込め構造を有する（ACIS）レーザを世界で初めて作製した。まずはじめに，ACISレーザの作製において重要となる，遊雅堂 出金 キャンセル被酸化層の酸化条件の検討を行った。その結果，酸化温度500℃，遊雅堂 出金 キャンセル層の厚さ100nm，Al組成0.48が最適値であることがわかった。また，本技術を適用し，実際にp型基板上へACISレーザの作製を行った結果，しきい値電流4.0mA，スロープ効率0.6W/Aという良好な初期特性が得られた。また，長期信頼性試験においても10,000時間までの安定した動作を確認した。更に，22チャンネルのレーザアレイ素子を作製し，しきい値電流3.98mA標準偏差0.42mAという良好な均一性が得られた。これらの結果から，ACISレーザは光インターコネクション用の光源として有望であることが示された。
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