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遊雅堂 仮想通貨 第117号

遊雅堂 仮想通貨AlGaN構造を用いた電源用GaNパワーデバイスの開発

池田成明、李江、加藤禎宏、増田満、吉田清輝

概要

GaN系電子デバイスは,従来のSi系電子デバイスと比較し,高耐圧,低オン抵抗が実現できる可能性があり,電源の高効率化,小型化に大きく貢献するものと期待されている。我々は,GaN/AlGaN HFET(heterojunction field effect transistor)構造において,AlGaN層を遊雅堂 仮想通貨化し,AlN層を挿入することによって,比較的低オン抵抗でありながら高耐圧のノーマリオフ型デバイスを検討した。電源デバイスに要求される低コスト化を目指したSi基板上AlGaN/GaNヘテロエピを用いて,しきい値が0Vであるノーマリオフ動作を実現した。

また,低損失化が可能な独自のダイオード構造を新規に提案し,ほぼ0Vから電流が流れ始めるという,低オン電圧化を確認した。この構造にAlGaN遊雅堂 仮想通貨化構造のエピを適用し,低リーク電流でかつ,低オン電圧動作するダイオードを実現した。


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