神林宏、神谷慎一、池田成明、李江、加藤禎宏、石井園美、佐々木康真、吉田清輝、増田満
概要
GaNはSiCやAlN等のワイドバンドギャップ半導体などと同様に，オンラインカジノ 遊雅堂，高周波，高温動作が可能であるなどの優れた特徴を持つことから，電力変換素子などへの応用が期待される。今回我々は，AlGaN/GaN HFETのオーミック電極に，独自のTi/AlSi/Mo電極の適用を検討した。その結果，Ti/Alと比較して1/3以下の接触線抵抗を得ることができた。この電極を用いてゲート幅200mmのAlGaN/GaN HFETを作製した結果，室温での動作電流で20A以上，500K環境下で10A以上を達成し，オフ耐圧は500K環境下において450Vを超えた。また，高屈折率SiNxを表面保護膜に用いることにより，SiO2と比較して約2けたのゲートリーク電流の低減を実現した。
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