佐々木宏和、大友晋哉、湊龍一郎、吉田順自

概要

透過型電子顕微鏡の手法の一つである電子線ホログラフィとローレンツ顕微鏡を用いて、GaAs(ガリウムヒ素)のモデル試料の観察と半導体レーザの解析を行った。電子線ホログラフィ観察では、pn接合のみならず、異なるドーパント濃度領域である1×1019と1×1018cm-3の界面と1×1018と1×1017cm-3の界面を観察することができた。また、半導体レーザの解析事例について紹介し、これらの手法が実用的に用いられていることを示した。

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