ニュースリリース 遊雅堂 賭け条件

古河電気工業株式会社（本社：東京都千代田区大手町2丁目6番4号、代表取締役社長：森平 英也）は、業界最高水準の光出力を誇る100mWのDFBレーザダイオードチップについて、2024年1月より量産を開始します。

クラウドサービスの普及や生成AIの登場を背景にデータセンタなどで通信トラフィックが増大するなか、従来の400Gbps以下から、800Gbpsや1.6Tbpsといったさらなる伝送速度の高速化が求められています（図1）。
データセンタにおいては、強度変調方式の光トランシーバが広く用いられており、近年では、小型・高集積、低消費電力、低コストという強みを持つシリコンフォトニクス技術が注目され（注１）、単一波長で高出力な光源としてDFBレーザダイオードチップが多く採用されています。
こうしたなか、伝送速度の高速化により高速強度変調時の光損失が増大することから、搭載されるDFBレーザダイオードチップに対してもさらなる高出力化が求められる一方、データセンタやネットワーク基地局では、光トランシーバなどの使用量が増加しており、エネルギー消費量の増加が問題となっています。

当社は長年培ってきたInP（Indium Phosphide、^（注2））半導体チップ技術の活用により、2022年9月に業界最高水準となる100mWの高出力DFBレーザダイオードチップの開発に成功し（図2）、2024年1月から量産を開始します。本製品の高効率化により、当社従来品と比較して電力変換効率が16％から22％に改善されました（図3）。これにより、800Gbpsを超える大容量通信に対応する高性能な光トランシーバへの採用やデータセンタにおけるエネルギー消費量の削減が期待されます。
なお、本製品は今年10月2日から4日に英国・グラスゴーで開催されるECOC 2023にて展示する予定です（FITEL-FURUKAWA ELECTRIC EUROPEブース内・ブース番号230、ECOC 2023： https://ecoc2023.theiet.org/）。
当社はレーザ事業のリーディングカンパニーとして今後も高性能な半導体レーザ光源製品の研究・開発・製品化を行い、光通信の発展を通じて真に豊かで持続可能な社会の実現に貢献してまいります。

ニュースリリース